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第两百一十二章 曙光一号研发成功(第1页)

时间一晃而过,进入八月初。

这个时间,川蜀的暑气已经攀到了最高。

但最新投入的芯片车间丝毫感受不到温度。

四层楼的密封窗全部紧闭着,双层玻璃之间充着干燥的氮气,把外面的闷热和尘埃隔绝得一干二净。

车间内的温湿度控制系统全天候运行,温度恒定,空气经过三级高效过滤,每立方米的尘埃粒子数被压到了实验室级别。

电子研究所的新办公楼在芯片车间隔壁,二者通过走廊连接。

今天,三楼的会议室坐满了人,气氛非常紧张。

长条会议桌靠窗一侧坐了四位教授王鹏飞,陈红日,陈东升,还有从川蜀大学过来的袁祥辉。

陈先进因为要去蓉城参加一个学术会议没能赶回来。

靠门一侧更是坐着陶主任和马天明,陶主任目光不时往车间方向瞟,马天明脸上带着一丝焦急。

林默则是坐在长桌的主位上,面前放着一个翻开的笔记本,上面写满了各项芯片数据。

自从一个月前,芯片车间设备调试完毕,

整个芯片项目就进行到最为关键的部分,流片。

截至目前为止,今天已经是第三次流片了。

前两次的结果都不理想,甚至说完全不符合预期。

第一片晶圆从光刻机里出来之后电测,逻辑功能基本正确,但主频只能跑到设计方案的四成,连一半都不到。

按照规格书,曙光一号的预期工作频率应该能够达到四十兆赫兹,实测却卡在了十六兆赫兹,差了太多。

钱学明带着团队连夜排查,发现是金属化布线层的寄生电容比仿真值高出了将近百分之三十,属于工艺参数和版图设计之间的匹配出了偏差。

林默当时看了测试报告,没有让钱学明重新画版图,而是调整了金属化工艺中的退火温度曲线。

把原本的四百二十度逐步升高到四百五十度,维持时间从三十分钟延长到四十五分钟,让铝硅合金层的晶粒重新长大,降低电阻率。

一个星期后,第二片晶圆跑了出来,数据有了明显提升。

主频提升到了二十八兆赫兹,但仍然没有跨过设计指标的合格线。

依旧不合格!

为了解决这个问题,钱学明两天没怎么合眼,翻来覆去的找原因,整个人肉眼可见地瘦了一圈。

经常站在设备面板前面盯着测试数据发呆,以至于最后都有些怀疑是不是CMOS的路线有问题。

因此,林默更是单独找到钱学明,开口勉励。

“钱工,方向没有错,CMOS工艺的潜力比我们现在看到的还要大得多,只是参数还需要再摸。”

“继续干,有什么问题直接来找我。”

“不用气馁!”

“一次不行就两次,两次不行就三次。”

“我们曙光厂一定要把CMOS工艺跑通!”

然后林默亲自改了三处参数,多晶硅栅的掺杂浓度梯度,源漏注入的剂量预调整,层间介质的回流温度曲线。

接着让钱学明按照新方案重新跑一轮流片。

眼下就是调整之后的最新一轮流片。

“林厂长,你说这一次能成功吗?”

“会不会还是和之前两次一样。”

马天明的目光从车间方向收回来,压低了声音,语气里带着些许按捺不住的急迫和忐忑。

前段时间他刚从香港回来,一听到芯片项目两次流片失败,忙不迭地跑过来看第三次流片。

“我那个彩电厂,厂房已经封顶了,设备也到了大半,不出一个月就可以投入生产……”

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